BAV99LT1G
2025-11-05 14:38:20
摘要：BAV99LT1G 是 ON Semiconductor（现 onsemi） 生产的一款 双极性高速开关二极管（Dual High-Speed Switching Diode），内部集成两只独立的硅平面二极管，具有快速反向恢复特性和低正向压降，常用于高频开关、信号整形与保护电路中。
描述
BAV99LT1G 属于小信号二极管系列，采用紧凑的 SOT-23 封装形式，方便在高密度电路板上使用。其两只二极管可独立使用或串联、并联配置，灵活适应多种电路需求。
凭借其快速开关速度和低漏电流特性，BAV99LT1G 在数字电路、射频系统及通信设备中广泛应用，尤其适合信号切换、限幅保护和脉冲整形等场景。
产品概述
| 产品型号 | BAV99LT1G |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，二极管 |
| 描述 | 二极管阵列 1 对串行连接 100 V 215mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR）、剪切带（CT） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3（TO-236） |
| 基本产品编号 | BAV99 |
产品图片
BAV99LT1G产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 二极管配置 | 1 对串行连接 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 215mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25 V @ 150 mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 6 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2.5 µA @ 70 V |
主要特点
内含两只高速开关二极管，支持多种连接方式
响应速度快，适合高频应用
正向压降低，功耗小
漏电流低，性能稳定
封装小巧，适合高密度电路设计
具备良好的温度稳定性和可靠性
典型应用
高频信号开关与整形
电压钳位与保护电路
数字逻辑电路信号控制
混频器、检波器及调制解调电路
通信设备、RF 模块及仪表仪器
引脚图及功能
工作原理
BAV99LT1G 通过 PN 结实现单向导通特性。当输入信号为正向时，二极管导通传输信号；当信号为反向时，二极管截止，阻断电流流动。
在高速信号切换中，其极短的反向恢复时间可确保信号的快速过渡，从而实现高速、低失真的开关控制。
替代型号
MMBD4148CC（Diodes Inc.）
1N4148WS（Vishay / ON Semiconductor）
BAV99W（Nexperia 同功能型号）
BAV70（性能相近的双二极管）
BAV21（耐压更高版本）