IRFZ44N
摘要：IRFZ44N 是一款 N沟道功率MOSFET，以其 低导通电阻 和 高电流能力 著称，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等中功率场景。
描述
IRFZ44N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性。该器件特别适用于低压高电流的场合，如电池管理、电机驱动、DC-DC 转换器和低压开关电源。其典型耐压为 55V，持续漏极电流可达 49A。
IRFZ44N 是国际整流器公司（International Rectifier，现为英飞凌 Infineon）设计的经典功率 MOS 管之一，也被广泛仿制与替代。
产品概述
| 产品型号 | IRFZ44N |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，MOSFET |
| 描述 | 采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 基本产品编号 | IRFZ44 |
产品图片
IRFZ44N
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 49A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1470 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 94W（Tc） |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 不受 REACH影响 |
特征
适用于宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
符合 JEDEC 标准的产品认证
针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
行业标准通孔功率封装
高额定电流
优势
增强坚固性
分销合作伙伴广泛供应
行业标准资质
低频应用中的高性能
标准引脚排列允许直接替换
高电流能力
应用领域
汽车电子（电动门锁、电动窗、继电器替代）
电池充放电控制
直流电机驱动模块
大电流 PWM 控制
DC-DC 升降压转换器
LED 恒流驱动
电子开关与负载保护电路
引脚图及功能
G：栅极（Gate）
D：漏极（Drain）
S：源极（Source）
封装形式
封装类型：TO-220AB
引脚数：3
说明：常见穿孔焊接封装，可外接散热片
替代型号
| 替代型号 | 特性比较说明 |
| STP55NF06 | ST 公司同等型号，参数近似 |
| IRLZ44N | IR 公司低压驱动版本（适合逻辑电平驱动） |
| FQP50N06 | 性能相近、性价比高 |
| IRF3205 | 电流更大（110A），更适用于重载场合 |
注意：IRFZ44N 栅极驱动要求约 10V，不适合直接由 3.3V 单片机 GPIO 驱动。若需低压逻辑兼容，请选用 IRLZ44N 等逻辑电平 MOSFET。
产品制造商介绍
Infineon Technologies AG（中文名：英飞凌科技股份公司）是全球领先的半导体解决方案提供商，总部位于德国慕尼黑。公司成立于1999年，由西门子集团拆分而来，现为法兰克福证券交易所上市公司，股票代码为 IFX。
英飞凌以提供高效、安全、智能的半导体技术而闻名，特别在汽车电子、功率半导体、安全芯片和工业控制等领域处于全球领先地位。