AO3409
摘要：AO3409 是 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的一款 P 沟道 MOSFET，广泛应用于便携式设备、电源开关、电池管理和负载控制场景。其低导通电阻、快速开关能力以及小型 SOT-23 封装，使其特别适合高密度、低功耗应用。
描述
AO3409 采用 P-Channel MOSFET 结构，可在低电压系统中执行负载开关、反向保护和高侧控制。它在小尺寸封装下提供了优良的导通性能和功率处理能力，特别适用于智能终端、电池供电设备和电源管理模块。
其低栅极驱动要求使其能够直接由 MCU 或低电压逻辑控制，具有稳定可靠的特性。
产品概述
| 产品型号 | AO3409 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 基本产品编号 | AO34 |
产品图片
AO3409产品图片
规格参数
| 产品状态 | 不适用于新设计 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
主要特点
P 沟道 MOSFET，适合高侧开关
开关速度快
导通电阻低，损耗小
小型 SOT-23 封装
驱动需求低，适于逻辑电平控制
可靠性高，适合长期负载切换
典型应用
便携式设备电源开关
电池管理系统（BMS）
DC-DC 电源控制
反向极性保护（高侧 MOS）
LED 驱动与功率路径切换
消费电子负载切换
引脚图及功能
工作原理
AO3409 作为 P 沟道 MOSFET，工作在 高侧开关 场景时具有天然优势：
当栅极相对于源极电压降低到一定程度时 MOSFET 导通
当栅极电压升高接近源极时 MOSFET 截止
其低 Rds(on) 带来更小的压降与发热，使其在电池供电设备中广受欢迎，用于实现高效率负载切换和反向保护。
替代型号
功能兼容替代（P 沟道，−20~−30V）
AO3407/AO3407A（AOS 同系列）
SI2301CDS / SI2305（P-MOS，小封装）
IRLML6401（常用高侧 P-MOS）
FDN306P / FDN340P（Fairchild P-MOS）
可按电流规格替代
AO3401A（更低 Rds(on)）
PMV48XP（NXP 小封装 P-MOS）
CJ2305 / CJ2301（国产通用型号）