MJD122T4G
摘要：MJD122T4G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款 中功率达林顿晶体管（NPN Darlington Transistor），具有高电流增益、较高电压能力和良好的开关特性，常用于功率放大、继电器驱动、电机驱动和通用开关电路。
描述
MJD122T4G 属于达林顿结构 NPN 晶体管，由两个 NPN 管级联而成，提供极高的放大倍数，适合中等功率控制场景。它通常采用 DPAK（TO-252）封装，适用于空间紧凑、需要表贴散热的功率电路。
其广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域。
产品图片
中文参数
| 产品型号 | MJD122T4G |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，双极（BJT） |
| 描述 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 8 A 4MHz 1.75 W 表面贴装型 DPAK |
| 包装类型 | 卷带（TR），剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 4V @ 80mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 4A，4V |
| 功率 - 最大值 | 1.75 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 |
主要特点
达林顿结构 NPN 晶体管：高电流增益
中功率能力：适用于驱动负载、调速、功率放大
DPAK / TO-252 表面贴装封装：良好散热与紧凑体积
适用于中速开关场景
可直接驱动继电器、电磁阀、风扇、电机等负载
典型应用
MJD122T4G 的主要应用包括：
继电器驱动
电磁阀、电机、小型风扇驱动
LED 灯带或灯组驱动
功率放大级（低频）
电源开关电路
车载控制模块（如 BCM 模块）
通用中功率控制电路
引脚图及功能
工作原理
MJD122T4G 采用 达林顿结构，内部是两个 NPN 晶体管串联，使得：
电流增益成倍提高
小电流即可控制较大的输出电流。
适合功率驱动
适用于驱动电机、继电器等中功率负载。
开关方式多样
可用于线性放大，也可用于中速开关（但不如 MOSFET 快速）。
基极驱动简单
MCU、小信号控制器可直接驱动该器件。
替代型号
替代器件主要需匹配：NPN、达林顿结构、封装、耐压电流等级。
同系列替代（ON）
MJD122G（环保版）
MJD127T4G / MJD127G（更高电压版本）
其他厂商等价型号
TIP122（TO-220） — 功能兼容但封装不同
BDW42 / BDW43 系列（ST）
KSE122 / KTD122 系列（Fairchild / KEC）
2SD2499（类似达林顿晶体管）