型号起始：	AS4C1* (123) AS4C10* (7) AS4C12* (38) AS4C14* (18) AS4C16* (33) AS4C1M* (27)
所属品牌：	不限 ALSC(93) MICROSS(16) ETC(11) ALLIED(2) AUSTIN(1)
功能分类：	不限动态存储器(85) 双倍数据速率(16) 内存集成电路(54) 存储(8) 光电二极管(27) CD(12) 时钟(8) ISM频段(2)

AS4C1 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：27

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AS4C14400-50JC 中文翻译品牌: ALSC	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO) 1M位× 4 CMOS DRAM（快速页面模式或EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C14400-60TC 中文翻译品牌: ALSC	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO) 1M位× 4 CMOS DRAM（快速页面模式或EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C14405-40TC 中文翻译品牌: ALSC	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO) 1M位× 4 CMOS DRAM（快速页面模式或EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C14405-70JC 中文翻译品牌: ALSC	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO) 1M位× 4 CMOS DRAM（快速页面模式或EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C16M16D1A-5TCN 中文翻译品牌: ALSC	Auto Refresh and Self Refresh	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		AS4C16M16D1A-5TIN 中文翻译品牌: ALSC	Auto Refresh and Self Refresh	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		AS4C16M16S-5TCN 中文翻译品牌: ALLIED	16MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5ns, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOPII-54	动态存储器光电二极管
		AS4C16M16S-7TCN 中文翻译品牌: ALLIED	16MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4ns, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOPII-54	时钟动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
		AS4C16M16S-7TCN 中文翻译品牌: ALSC	Programmable Mode registers	时钟动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
		AS4C16M16SA-6TCN 中文翻译品牌: ALSC	256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C16M16SA-6TIN EDA模型中文翻译品牌: ALSC	256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C16M16SA-7TCN EDA模型中文翻译品牌: ALSC	256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C1M16E0-50JC 中文翻译品牌: ETC	x16 EDO Page Mode DRAM X16 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E0-60JC 中文翻译品牌: ETC	x16 EDO Page Mode DRAM X16 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-45JC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-50JI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-50TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-60JC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-45JC 中文翻译品牌: ALSC	Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C1M16F5-45TC 中文翻译品牌: ALSC	Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C1M16F5-50JI 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-50TC 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-50TI 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-60JI 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-60TI 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16S-6TIN 中文翻译品牌: ALSC	1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C1M16S-7TCN EDA模型中文翻译品牌: ALSC	1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)	动态存储器光电二极管内存集成电路

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