型号起始: | AS4C1M* (27) AS4C1M1* (27) |
所属品牌: | 不限 ALSC(16) ETC(11) |
功能分类: | 不限 动态存储器(26) 内存集成电路(15) 光电二极管(15) 存储(4) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AS4C1M16E0-50JC
中文翻译 品牌: ETC |
x16 EDO Page Mode DRAM
X16 EDO页模式DRAM\n |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16E0-60JC
中文翻译 品牌: ETC |
x16 EDO Page Mode DRAM
X16 EDO页模式DRAM\n |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-45JC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-45TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-50JC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-50JI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-50TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-50TI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-60JC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-60JI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-60TC
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16E5-60TI
中文翻译 品牌: ALSC |
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5-45JC
中文翻译 品牌: ALSC |
Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4C1M16F5-45TC
中文翻译 品牌: ALSC |
Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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AS4C1M16F5-50JC
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5-50JI
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5-50TC
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5-50TI
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5-60JC
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5-60JI
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5-60TC
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
动态存储器 | |||
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AS4C1M16F5-60TI
中文翻译 品牌: ETC |
5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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AS4C1M16S-6TIN
中文翻译 品牌: ALSC |
1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM) | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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AS4C1M16S-7TCN
EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC |
1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM) | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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AS4C1M16S-CI
中文翻译 品牌: ALSC |
Programmable Mode registers |
Total:271
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