型号起始：	N08L6* (10) N08L61* (5) N08L63* (5)
所属品牌：	不限 ONSEMI(10)
功能分类：	不限静态存储器(10) 存储(3) 内存集成电路(3)

N08L6 - 型号起始; 总记录数：10

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		N08L6182A 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位	静态存储器
		N08L6182AB27I 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位	存储内存集成电路静态存储器
		N08L6182AB27IT 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位	存储内存集成电路静态存储器
		N08L6182AB7I 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位	静态存储器
		N08L6182AB7IT 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位	静态存储器
		N08L63W2A 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位	静态存储器
		N08L63W2AB27I EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位	静态存储器
		N08L63W2AB27IT 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位	存储内存集成电路静态存储器
		N08L63W2AB7I 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位	静态存储器
		N08L63W2AB7IT 中文翻译品牌: ONSEMI	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位	静态存储器

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