| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N7002AK
中文翻译 品牌: YFW |
Marking : NJ; Channel : N; ID : 0.3; VDSS : 60; VGSS : ±20; VGS(th) : 1; VGS(th) : 2.5; RDS(ON) : 1900; RDS(ON) : 3000; RDS(ON) : 1600; RDS(ON) : 2500 | ||||
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2N7002AK-Q
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction | ||||
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2N7002AKM-Q
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction | ||||
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2N7002AKQB-Q
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, N-channel Trench MOSFET | ||||
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2N7002AKRA-Q
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, dual N-channel Trench MOSFET | ||||
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2N7002AKS-Q
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, dual N-channel Trench MOSFETProduction | ||||
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2N7002AKW-Q
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction | ||||
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2N7002AQ
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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2N7002AQ-13
中文翻译 品牌: DIODES |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |||
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2N7002AQ-7
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
Small Signal Field-Effect Transistor, | PC | ||
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2N7002A_09
中文翻译 品牌: KEC |
FIELD EFFECT TRANSISTOR 场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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2N7002A_13
中文翻译 品牌: KEC |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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2N7002B
中文翻译 品牌: MCC |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | ||||
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2N7002B
中文翻译 品牌: UMW |
漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1.15A;栅极-源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:5Ω@10V;最大功耗（Ta = 25°C）:225mW;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±20 | 栅 栅极 | |||
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2N7002BDW
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-363 | ||||
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2N7002BE
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-523 | ||||
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2N7002BK
中文翻译 品牌: NXP |
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 60 V ， 350毫安N沟道沟槽MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 光电二极管 放大器 | ||
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2N7002BK
中文翻译 品牌: CENTRAL |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 放大器 光电二极管 晶体管 | |||
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2N7002BK
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFETProduction | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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2N7002BK
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):250mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):3.3Ω 10V,200mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):300mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 | |||
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2N7002BKM
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V N-channel Trench MOSFET | ||||
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2N7002BKMB
中文翻译 品牌: NXP |
60 V, single N-channel Trench MOSFET 60 V ，单N沟道沟槽MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | ||
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2N7002BKMB
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, single N-channel Trench MOSFET | |||
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2N7002BKMB,315
中文翻译 品牌: NXP |
2N7002BKMB - 60 V, single N-channel Trench MOSFET DFN 3-Pin | 开关 晶体管 | ||
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2N7002BKS
中文翻译 品牌: NXP |
60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET 60 V ， 300毫安双N沟道沟槽MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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2N7002BKS
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFETProduction | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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2N7002BKS
中文翻译 品牌: TECHPUBLIC |
元器件封装:SOT-363; | ||||
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2N7002BKS,115
中文翻译 品牌: NXP |
2N7002BKS - 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET TSSOP 6-Pin | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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2N7002BKT
中文翻译 品牌: NXP |
60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET 60 V ， 290毫安N沟道沟槽MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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2N7002BKT
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET |