| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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0402HP-40NXGL 中文翻译 品牌: NXP |
Enhancement Mode pHEMT Technology (E--pHEMT) | ||||
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0402HPH-68NXGL 中文翻译 品牌: NXP |
Enhancement Mode pHEMT Technology (E--pHEMT) | ||||
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0510-50A 中文翻译 品牌: NXP |
RF Manual 16th edition RF手册第16版 |
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0581B 中文翻译 品牌: NXP |
14-PIN (300 mils wide) CERAMIC DUAL IN-LINE (F) PACKAGE 14 -PIN （ 300密耳宽）陶瓷双列直插式（F ）包装 |
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06033J150GBS 中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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06033J220GBS 中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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06035J0R4BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J0R6BS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J0R7BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J0R8BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J0R8BS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J0R9BS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J100GBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J1R8BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J1R8BS 中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module | 有线电视 | |||
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06035J2R0BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J2R2BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J2R2BS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J2R7BBS 中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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06035J3R9BS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J470BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) | ||||
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06035J5R6BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J5R6BS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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06035J6R8BBS 中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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06035J6R8BS 中文翻译 品牌: NXP |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) | ||||
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080514R7BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor | ||||
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08051J0R4BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor | ||||
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08051J0R5BBS 中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor | ||||
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08051J0R5BS 中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Integrated Power Amplifier | ||||
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08051J150GBS 中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor |
NXP是什么品牌：恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（NASDAQ：NXPI）以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（High Performance Mixed Signal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。成立时间：2006年(前身为皇家飞利浦公司的事业部之一) 拥有50年以上的半导体经验。