型号等于:AO3414 (12) AO3414A (1) AO3414L (1)
型号起始:AO3414* (16) AO3414 * (1) AO3414A* (1) AO3414L* (1) AO3414_* (1)
所属品牌:不限 AOS(3) KEXIN(2) FREESCALE(1) HC(1) HOTTECH(1) TYSEMI(1) UMW(1)
功能分类:不限 晶体(2) 晶体管(2) 开关(1) (1) 栅极(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
AO3414
中文翻译 品牌: TYSEMI
VDS (V) = 20V ID= 4.2A (VGS=4.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 63m (VGS = 2.5V)
VDS (V)= 20V的ID = 4.2A (VGS = 4.5V )的RDS(ON ) 50米(VGS = 4.5V )的
AO3414
中文翻译 品牌: FREESCALE
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Fast switching speed
N通道20 -V (D -S ) MOSFET的开关速度快
开关
AO3414
中文翻译 品牌: AOS
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
AO3414
中文翻译 品牌: KEXIN
N-Channel Enhancement Mode
N沟道增强模式
AO3414
中文翻译 品牌: HC
SOT-23-3L
AO3414
中文翻译 品牌: HOTTECH
SOT-23
AO3414
中文翻译 品牌: VBSEMI
元器件封装:SOT-23-3;
AO3414 (KO3414)
中文翻译 品牌: KEXIN
N-Channel MOSFET
AO3414A
中文翻译 品牌: UMW
漏源电压(Vdss):20V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):4.2A;栅极-源极阈值电压:1.2V @ 50uA;漏源导通电阻:26mΩ@4.5V;最大功耗(Ta = 25°C):400mW;种类:N-Channel;漏源导通电阻:mΩ@10V;Vgs(th)(V):±8 栅极
AO3414L
中文翻译 品牌: AOS
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
AO3414_10
中文翻译 品牌: AOS
20V N-Channel MOSFET
20V N沟道MOSFET
Total:111
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