型号起始：	AO66* (17) AO660* (17)
所属品牌：	不限 AOS(11) FREESCALE(3) UMW(2) ETC(1)
功能分类：	不限晶体(9) 晶体管(9) 场效应晶体管(9)

AO66 - 型号起始; 总记录数：18

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AO6601 中文翻译品牌: FREESCALE	N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET High performance trench technology 氮磷通道32 -V （ DS ） MOSFET高性能沟道技术
		AO6601 中文翻译品牌: AOS	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		AO6601 中文翻译品牌: UMW	种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V; P：-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.3A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:60mΩ@10V
		AO6601L 中文翻译品牌: AOS	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		AO6601_12 中文翻译品牌: AOS	30V Complementary MOSFET 30V互补MOSFET
		AO6602 中文翻译品牌: FREESCALE	30V Complementary MOSFET 30V互补MOSFET
		AO6602 中文翻译品牌: AOS	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		AO6602 中文翻译品牌: KEXIN	漏源电压Vdss(V):N:30V,P:30V;额定电流Id(A):N:3.5A,P:3.5A;类型:N+P Channel;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:SOT-163;
		AO6602L 中文翻译品牌: AOS	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		AO6602_11 中文翻译品牌: AOS	30V Complementary MOSFET 30V互补MOSFET
		AO6603 中文翻译品牌: AOS	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		AO6603L 中文翻译品牌: AOS	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		AO6604 中文翻译品牌: FREESCALE	N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET High performance trench technology 氮磷通道20 -V （ DS ） MOSFET高性能沟道技术
		AO6604 EDA模型中文翻译品牌: AOS	20V Complementary MOSFET 20V互补MOSFET
		AO6604 中文翻译品牌: UMW	种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 20V；P：-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.5A;Vgs(th)(V):±8;漏源导通电阻:65mΩ@4.5V
		AO6604L 中文翻译品牌: ETC	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		AO6605 中文翻译品牌: AOS	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		AO6605L 中文翻译品牌: AOS	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 互补增强型场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管

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