型号起始: | BS616LV1010F* (12) BS616LV1010FC* (6) BS616LV1010FI* (6) |
所属品牌: | 不限 BSI(12) |
功能分类: | 不限 静态存储器(12) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1010FC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 |
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