型号等于: | BS616LV1611FC (1) BS616LV1611FI (1) |
型号起始: | BS616LV1611F* (22) BS616LV1611FA* (4) BS616LV1611FC* (9) BS616LV1611FI* (9) |
所属品牌: | 不限 BSI(22) |
功能分类: | 不限 静态存储器(22) 存储(2) 内存集成电路(4) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1611FA-70
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611FAG55
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611FAG70
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611FAP70
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611FC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FC-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611FC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV1611FCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FI-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV1611FI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611FIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1611FIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1611FIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611FIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 |
Total:221
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