型号等于: | BS616LV2010EC (1) BS616LV2010EI (1) |
型号起始: | BS616LV2010E* (14) BS616LV2010EC* (7) BS616LV2010EI* (7) |
所属品牌: | 不限 BSI(14) |
功能分类: | 不限 静态存储器(14) 光电二极管(12) 内存集成电路(8) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV2010EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2010EC10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2010EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010ECG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2010ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010ECP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2010EI10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EIG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EIP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2010EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 |
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