型号起始: | BS616LV2019EC* (6) BS616LV2019EC5* (1) BS616LV2019EC7* (1) BS616LV2019ECG* (2) BS616LV2019ECP* (2) |
所属品牌: | 不限 BSI(6) |
功能分类: | 不限 静态存储器(6) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV2019EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 |
Total:61
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