型号等于: | BS616LV4010EC (1) BS616LV4010EI (1) |
型号起始: | BS616LV4010E* (12) BS616LV4010EC* (7) BS616LV4010EI* (5) |
所属品牌: | 不限 BSI(12) |
功能分类: | 不限 静态存储器(12) 光电二极管(10) 内存集成电路(9) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV4010EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4010EC10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV4010EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ECG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ECP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EIG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4010EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 |
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