型号等于：	BS616LV4016 (2)
型号起始：	BS616LV4016* (44) BS616LV4016A* (14) BS616LV4016D* (14) BS616LV4016E* (14)
所属品牌：	不限 BSI(43)
功能分类：	不限静态存储器(43) 存储(11) 内存集成电路(12) 光电二极管(6)

BS616LV4016 - 型号起始; 总记录数：43

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4016 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016AC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV4016AC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016ACG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	内存集成电路静态存储器
		BS616LV4016ACG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV4016ACP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV4016ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV4016AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016AI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016AI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV4016AIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016AIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016AIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016AIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4016EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器

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