型号等于: | BS616LV4017DC (1) BS616LV4017DI (1) |
型号起始: | BS616LV4017D* (10) BS616LV4017DC* (5) BS616LV4017DI* (5) |
所属品牌: | 不限 BSI(10) |
功能分类: | 不限 静态存储器(10) 存储(1) 内存集成电路(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV4017DC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4017DCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4017DCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4017DCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV4017DCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4017DI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4017DIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4017DIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4017DIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4017DIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 |
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