型号等于: | BS616LV4018 (2) |
型号起始: | BS616LV4018* (32) BS616LV4018A* (14) BS616LV4018D* (2) BS616LV4018E* (14) |
所属品牌: | 不限 BSI(24) ETC(7) |
功能分类: | 不限 静态存储器(31) 光电二极管(12) 内存集成电路(20) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV4018
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018AC
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018AC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 | |||
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BS616LV4018AC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ACG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 | |||
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BS616LV4018ACG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ACP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ACP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018AI
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018AI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018AI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018AIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018AIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018AIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 | |||
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BS616LV4018AIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018DC
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018DI
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018EC
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV4018EI
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 |