型号等于：	NE550F (1) NE550L (1) NE550N (1)
型号起始：	NE550* (28) NE5500* (20) NE5501* (2) NE5502* (1) NE5503* (1) NE5504* (1) NE550F* (1) NE550L* (1) NE550N* (1)
所属品牌：	不限 RENESAS(9) NEC(8) NXP(7) CEL(2) ETC(1) PHILIPS(1)
功能分类：	不限开关(5) 光电二极管(6) 晶体管(13) 放大器(11) ISM频段(5) 晶体(3) 射频场效应晶体管(2) CD(1) 输出元件(3) 调节器(3) 射频(2) GSM(2)

NE550 - 型号起始 - 射频; 总记录数：7

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NE5500179A 中文翻译品牌: NEC	SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET
		NE5500179A 中文翻译品牌: CEL	4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器	放大器射频 GSM
		NE5500179A-T1 中文翻译品牌: NEC	SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5500179A-T1 中文翻译品牌: CEL	4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器	晶体放大器晶体管射频 GSM
		NE5500179A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 5.70 X 5.70 MM, 1.10 MM HEIGHT, 79A, 4 PIN	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5500479A-T1 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	放大器晶体管
		NE5500479A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

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