| 型号起始： | NE5500* (20) NE55001* (8) NE55002* (6) NE55004* (6) |
| 所属品牌： | 不限 RENESAS(9) NEC(8) CEL(2) ETC(1) |
| 功能分类： | 不限 放大器(11) ISM频段(5) 晶体管(8) 晶体(3) 射频场效应晶体管(2) 射频(2) GSM(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NE5500134-A
中文翻译 品牌: RENESAS |
RF & Microwave device | ||||
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NE5500134-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500134-AZ | ||||
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NE5500134-T1-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500134-T1-AZ | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500179A
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET |
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NE5500179A
中文翻译 品牌: CEL |
4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器 |
放大器 射频 GSM | |||
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NE5500179A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5500179A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器 |
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM | |||
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NE5500179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 5.70 X 5.70 MM, 1.10 MM HEIGHT, 79A, 4 PIN | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5500234
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | 放大器 晶体管 | |||
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NE5500234-A
中文翻译 品牌: RENESAS |
RF & Microwave device | ||||
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NE5500234-AZ
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500234-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500234-AZ | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500234-T1-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500234-T1-AZ | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500234-T1-AZ
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500434-A
中文翻译 品牌: RENESAS |
RF & Microwave device | ||||
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NE5500434-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500434-AZ | ||||
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NE5500434-T1-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500434-T1-AZ | ||||
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NE5500479A
中文翻译 品牌: ETC |
Discrete
分离\n |
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NE5500479A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 放大器 晶体管 | |||
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NE5500479A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN |
Total:201
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