型号起始：	NE5520* (12) NE55202* (6) NE55203* (6)
所属品牌：	不限 CEL(6) NEC(6)
功能分类：	不限晶体(6) 晶体管(6) 放大器(8) 射频场效应晶体管(2) ISM频段(2)

NE5520 - 型号起始; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NE5520279A 中文翻译品牌: NEC	NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NECS 3.2 V， 2 W ， L＆ S波段中功率硅LD- MOSFET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5520279A 中文翻译品牌: CEL	3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET 3.2 V， 2 W ， L＆ S波段中功率硅LD- MOSFET	晶体晶体管放大器
		NE5520279A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	晶体晶体管放大器
		NE5520279A-T1 中文翻译品牌: NEC	NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NECS 3.2 V， 2 W ， L＆ S波段中功率硅LD- MOSFET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5520279A-T1-A 中文翻译品牌: CEL	3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET 3.2 V， 2 W ， L＆ S波段中功率硅LD- MOSFET	晶体晶体管 ISM频段放大器
		NE5520279A-T1A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, 79A, 4 PIN
		NE5520379A 中文翻译品牌: CEL	NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NEC的3.2V ， 3W ，L / S波段中功率硅LD- MOSFET	晶体晶体管放大器
		NE5520379A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE5520379A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器 ISM频段晶体管
		NE5520379A-T1 中文翻译品牌: CEL	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
		NE5520379A-T1A 中文翻译品牌: CEL	暂无描述
		NE5520379A-T1A-A 中文翻译品牌: CEL	NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NEC的3.2V ， 3W ，L / S波段中功率硅LD- MOSFET

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