型号起始: | NE552R* (11) NE552R4* (6) NE552R6* (5) |
所属品牌: | 不限 NEC(8) CEL(2) RENESAS(1) |
功能分类: | 不限 放大器(11) 射频(5) 晶体管(6) 晶体(2) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NE552R479A
中文翻译 品牌: CEL |
NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NEC的3.0 V, 0.25 W L & S波段中功率硅LD- MOSFET |
晶体 晶体管 放大器 | |||
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NE552R479A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE552R479A-T1
中文翻译 品牌: RENESAS |
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE552R479A-T1A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE552R479A-T1A-A
中文翻译 品牌: CEL |
NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NEC的3.0 V, 0.25 W L & S波段中功率硅LD- MOSFET |
晶体 晶体管 放大器 | |||
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NE552R479A-T1A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE552R679A
中文翻译 品牌: NEC |
3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE552R679A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 射频 | |||
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NE552R679A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE552R679A-T1A
中文翻译 品牌: NEC |
3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE552R679A-T1A-A
中文翻译 品牌: NEC |
暂无描述 | 放大器 射频 |
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