| 型号起始： | CEB02* (5) CEB02N* (5) |
| 所属品牌： | 不限 CET(5) |
| 功能分类： | 不限 晶体(5) 晶体管(5) 场效应晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CEB02N6
中文翻译 品牌: CET |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CEB02N65B
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 5000; ID(A) : 2; @10V(typ) : 7.2; Pd(W) : 52; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB02N6A
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N6G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N7
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N7A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 700; @10V : 6000; ID(A) : 2; @10V(typ) : 8.7; Pd(W) : 54; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB02N7G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N9
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 900; @10V : 6800; ID(A) : 2.6; @10V(typ) : 22; Pd(W) : 125; Configuration : Single; Polarity : N; |
Total:81
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