| 型号起始： | CEB12* (3) CEB12N* (2) CEB12P* (1) |
| 所属品牌： | 不限 CET(3) |
| 功能分类： | 不限 晶体(3) 晶体管(3) 场效应晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CEB120N085
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 85; @10V : 5.3; ID(A) : 120; @10V(typ) : 74; Pd(W) : 138; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB120N20
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 200; @10V : 10.4; ID(A) : 117; @10V(typ) : 90; Pd(W) : 227; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB125N15
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 150; @10V : 7.2; ID(A) : 125; @10V(typ) : 67; Pd(W) : 215; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB12N5
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB12N6
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB12N65A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 750; ID(A) : 12; @10V(typ) : 33; Pd(W) : 250; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB12N6A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 600; @10V : 700; ID(A) : 12; @10V(typ) : 33; Pd(W) : 198; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB12P10
中文翻译 品牌: CET |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 |
Total:81
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