| 型号起始： | CED0* (14) CED0.* (1) CED01* (5) CED02* (5) CED04* (1) CED05* (2) |
| 所属品牌： | 不限 CET(13) SCHURTER(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(13) 晶体管(13) 场效应晶体管(2) 连接器(1) 电源连接器(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CED0.6100.151
中文翻译 品牌: SCHURTER |
Mains Power Connector, 4A, 250VAC, Male, Solder Terminal | 连接器 电源连接器 | |||
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CED01N6
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED01N65
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED01N65A
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED01N6G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED01N7
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED02N6
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CED02N65A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 10500; ID(A) : 1.2; @10V(typ) : 6.9; Pd(W) : 35.7; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED02N65B
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 5000; ID(A) : 1.8; @10V(typ) : 7.2; Pd(W) : 41.7; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED02N65G
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 5500; ID(A) : 1.8; @10V(typ) : 6.7; Pd(W) : 48; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED02N6A
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED02N6G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED02N7
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED02N7A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 700; @10V : 6000; ID(A) : 1.6; @10V(typ) : 8.7; Pd(W) : 41.7; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED02N7G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED02N9
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 900; @10V : 6800; ID(A) : 2; @10V(typ) : 22; Pd(W) : 75; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED03N100
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 1000; @10V : 6000; ID(A) : 3; @10V(typ) : 25; Pd(W) : 111; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED04N65
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 2800; ID(A) : 3.2; @10V(typ) : 12; Pd(W) : 70; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED04N65A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 2800; ID(A) : 3.1; @10V(typ) : 11; Pd(W) : 66; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED04N65B
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 2800; ID(A) : 3.1; @10V(typ) : 10; Pd(W) : 66; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED04N7A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 700; @10V : 3200; ID(A) : 3.5; @10V(typ) : 11; Pd(W) : 54; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED04N7G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED04N8
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 800; @10V : 4000; ID(A) : 3.3; @10V(typ) : 16; Pd(W) : 107; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED05N65
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED05N65S
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 900; ID(A) : 5; @10V(typ) : 9; Pd(W) : 69; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED05P03
中文翻译 品牌: CET |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CED0615A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 150; @10V : 56; ID(A) : 20; @10V(typ) : 5; Pd(W) : 39; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED07N65A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 1450; ID(A) : 6; @10V(typ) : 28; Pd(W) : 107; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED07N65B
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 1400; ID(A) : 6; @10V(typ) : 23; Pd(W) : 107; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED07N65SA
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 650; @10V : 650; ID(A) : 6.2; @10V(typ) : 12; Pd(W) : 62.5; Configuration : Single; Polarity : N; |