| 型号起始： | CED6* (18) CED60* (6) CED61* (3) CED62* (2) CED63* (4) CED64* (1) CED66* (1) CED68* (1) |
| 所属品牌： | 不限 CET(15) ETC(3) |
| 功能分类： | 不限 晶体(15) 晶体管(15) 场效应晶体管(4) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CED6024L
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 60; @10V : 2.5; @4.5V : 3.9; ID(A) : 119; @4.5V(typ) : 30; Pd(W) : 56.8; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED6026A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 65; @10V : 3.1; ID(A) : 107; @10V(typ) : 57; Pd(W) : 56.8; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED6026AL
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 65; @10V : 2.7; @4.5V : 3.8; ID(A) : 115; @4.5V(typ) : 35; Pd(W) : 56.8; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED6030L
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED6031L
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED603AL
中文翻译 品牌: ETC |
30V N Channel MOS
30V N沟道MOS\n |
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CED6040SL
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 65; @10V : 4.8; @4.5V : 7.8; ID(A) : 89; @4.5V(typ) : 26; Pd(W) : 68; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED6056
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED6060L
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 60; @10V : 24; @5V : 29; ID(A) : 48; @4.5V(typ) : 21; Pd(W) : 107; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED6060N
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED6060R
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CED6072AL
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 60; @10V : 8; @4.5V : 11; ID(A) : 50; @4.5V(typ) : 7.7; Pd(W) : 35.7; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED6076
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 65; @10V : 8.7; ID(A) : 48; @10V(typ) : 22; Pd(W) : 35; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED6086A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 68; @10V : 8.5; ID(A) : 64; @10V(typ) : 103; Pd(W) : 62.5; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED60P03
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : -30; @10V : 9; @4.5V : 15; ID(A) : -60; @4.5V(typ) : 24; Pd(W) : 54.3; Configuration : Single; Polarity : P; | ||||
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CED6185
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : -60; @10V : 20; @4.5V : 26; ID(A) : -36; @4.5V(typ) : 38; Pd(W) : 48; Configuration : Single; Polarity : P; | ||||
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CED6186
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED6186A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 60; @10V : 20; @4.5V : 25; ID(A) : 30.6; @4.5V(typ) : 13; Pd(W) : 38; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED61A2
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED61A3
中文翻译 品牌: ETC |
30V N Channel MOS
30V N沟道MOS\n |
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CED62A2
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED62A3
中文翻译 品牌: ETC |
30V N Channel MOS
30V N沟道MOS\n |
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CED630A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 200; @10V : 380; ID(A) : 8.8; @10V(typ) : 11; Pd(W) : 62.5; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED630N
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED6336
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED6355
中文翻译 品牌: CET |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CED6362
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : 60; @10V : 45; @4.5V : 52; ID(A) : 20.7; @4.5V(typ) : 9.7; Pd(W) : 34.7; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CED63A3
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CED6405
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-251; BVDSS(V) : -60; @10V : 48; @4.5V : 62; ID(A) : -20; @10V(typ) : 26; Pd(W) : 36; Configuration : Single; Polarity : P; | ||||
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CED6426
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 |