| 型号等于： | 2SD1611 (6) 2SD1611H (1) |
| 型号起始： | 2SD1611* (8) 2SD1611H* (1) 2SD1611T* (1) |
| 所属品牌： | 不限 PANASONIC(3) KEXIN(1) TYSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SD1611
中文翻译 品牌: PANASONIC |
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) 硅NPN三重扩散平面型达林顿（对于功率放大） |
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2SD1611
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High forward current transfer ratio hFE High collector-base voltage (Emitter open) VCBO 高正向电流传输比的hFE高集电极 - 基极电压（发射极开路） VCBO |
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2SD1611
中文翻译 品牌: KEXIN |
Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Darlington 硅NPN三重扩散平面型达林顿 |
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2SD1611H
中文翻译 品牌: PANASONIC |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, | ||||
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2SD1611TX
中文翻译 品牌: PANASONIC |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, |
Total:51
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