型号等于: | DTC115EKAT147 (1) |
型号起始: | DTC115EKAT14* (1) DTC115EKAT147* (1) |
所属品牌: | 不限 ROHM(1) |
功能分类: | 不限 小信号双极晶体管(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DTC115EKAT146
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50 V ;类型:NPN - 预偏压 ;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 250µA,5mA ;变换频率ft(MHz):250 MHz ;最大耗散功率Pd(W):200 mW ;偏置电阻R1(KΩ):100 kOhms ;偏置电阻R2(KΩ):100 kO | |||
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DTC115EKAT147
中文翻译 品牌: ROHM |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | 小信号双极晶体管 |
Total:21
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