品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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8342QT07101937B
中文翻译 品牌: GSI |
36Mb SigmaQuad-II TM Burst of 2 SRAM | 静态存储器 | |||
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8662QT07101937B
中文翻译 品牌: GSI |
JEDEC-standard pinout and package | ||||
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AN1008
中文翻译 品牌: GSI |
Address Pin Labeling Mismatch | ||||
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AN1010
中文翻译 品牌: GSI |
SigmaQuad Common I/O Design Guide | ||||
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AN1012
中文翻译 品牌: GSI |
SigmaQuad Type I vs. Type II Timing Comparison | ||||
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AN1013
中文翻译 品牌: GSI |
SigmaQuad Separate I/O Design Guide | ||||
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AN1014
中文翻译 品牌: GSI |
tKCvar Specification | ||||
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AN1016
中文翻译 品牌: GSI |
SigmaCIO DDR-IIIe DQ ODT Control | 双倍数据速率 | |||
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AN1017
中文翻译 品牌: GSI |
SigmaQuad-IIIe Input and Output Clocking Scheme | ||||
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AN1019
中文翻译 品牌: GSI |
SigmaQuad-II+ and SigmaDDR-II+ On-Die Termination (ODT) | 双倍数据速率 | |||
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AN1020
中文翻译 品牌: GSI |
Interfacing GSI Sync SRAMs to a Freescale Mutiplexed MPC567xF or PXR40xx Microcontroller | PC 微控制器 静态存储器 | |||
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AN1021
中文翻译 品牌: GSI |
SigmaQuad and SigmaDDR Power-Up | 双倍数据速率 | |||
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AN1023
中文翻译 品牌: GSI |
SigmaQuad/DDR IIIe/IVe SRAM Overview | 双倍数据速率 静态存储器 | |||
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AN1024
中文翻译 品牌: GSI |
GSI ECCRAMs?—The Benefits of On-Chip ECC | ||||
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GS1284218GB-200I
中文翻译 品牌: GSI |
Cache SRAM, 8MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS1284218GB-200IT
中文翻译 品牌: GSI |
Cache SRAM, 8MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS1284218GB-200VIT
中文翻译 品牌: GSI |
Cache SRAM, 8MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS1284218GB-250I
中文翻译 品牌: GSI |
288Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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GS1284218GB-250IV
中文翻译 品牌: GSI |
Cache SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA119, BGA-119 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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GS1284218GB-250IVT
中文翻译 品牌: GSI |
Cache SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA119, BGA-119 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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GS1284218GD-250IV
中文翻译 品牌: GSI |
8M x 18, 4M x 36 144Mb S/DCD Sync Burst SRAMs | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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GS1284218GD-250IVT
中文翻译 品牌: GSI |
Cache SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA165, BGA-165 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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GS12842Z18GB-200VI
中文翻译 品牌: GSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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GS1284Z18GB-200I
中文翻译 品牌: GSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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GS1284Z18GB-200IT
中文翻译 品牌: GSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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GS256418GB-250I
中文翻译 品牌: GSI |
16M x 18, 8M x 36 288Mb DCD Sync Burst SRAMs | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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GS256418GB-250IV
中文翻译 品牌: GSI |
16M x 18, 8M x 36 288Mb DCD Sync Burst SRAMs | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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GS256418GB-250IVT
中文翻译 品牌: GSI |
Cache SRAM, 16MX18, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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GS4288C09
中文翻译 品牌: GSI |
32M x 9, 16M x 18, 8M x 36 288Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM) II | 动态存储器 | |||
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GS4288C09GL-18
中文翻译 品牌: GSI |
DDR DRAM, 32MX9, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, UBGA-144 | 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 |
GSI是什么品牌:GSI Technology, Inc.成立于1995年,是SRAM半导体存储解决方案的领先供应商。