型号起始:AN10* (12) GS12* (11) GS25* (3) GS42* (35) GS45* (64) GS70* (84) GS71* (264) GS72* (302) GS73* (37) GS74* (186) 8342* (1) 8662* (1)
所属品牌:不限 GSI(31057)
功能分类:不限 静态存储器(24590) 内存集成电路(13455) 存储(8137) 时钟(2534) 双倍数据速率(2916) CD(1196) 光电二极管(540) 动态存储器(96) IOT(3) PC(2) 微控制器(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
8342QT07101937B
中文翻译 品牌: GSI
36Mb SigmaQuad-II TM Burst of 2 SRAM 静态存储器
8662QT07101937B
中文翻译 品牌: GSI
JEDEC-standard pinout and package
AN1008
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Address Pin Labeling Mismatch
AN1010
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SigmaQuad Common I/O Design Guide
AN1012
中文翻译 品牌: GSI
SigmaQuad Type I vs. Type II Timing Comparison
AN1013
中文翻译 品牌: GSI
SigmaQuad Separate I/O Design Guide
AN1014
中文翻译 品牌: GSI
tKCvar Specification
AN1016
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SigmaCIO DDR-IIIe DQ ODT Control 双倍数据速率
AN1017
中文翻译 品牌: GSI
SigmaQuad-IIIe Input and Output Clocking Scheme
AN1019
中文翻译 品牌: GSI
SigmaQuad-II+ and SigmaDDR-II+ On-Die Termination (ODT) 双倍数据速率
AN1020
中文翻译 品牌: GSI
Interfacing GSI Sync SRAMs to a Freescale Mutiplexed MPC567xF or PXR40xx Microcontroller PC 微控制器 静态存储器
AN1021
中文翻译 品牌: GSI
SigmaQuad and SigmaDDR Power-Up 双倍数据速率
AN1023
中文翻译 品牌: GSI
SigmaQuad/DDR IIIe/IVe SRAM Overview 双倍数据速率 静态存储器
AN1024
中文翻译 品牌: GSI
GSI ECCRAMs?—The Benefits of On-Chip ECC
GS1284218GB-200I
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Cache SRAM, 8MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 静态存储器 内存集成电路
GS1284218GB-200IT
中文翻译 品牌: GSI
Cache SRAM, 8MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 静态存储器 内存集成电路
GS1284218GB-200VIT
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Cache SRAM, 8MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 静态存储器 内存集成电路
GS1284218GB-250I
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288Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 静态存储器 内存集成电路
GS1284218GB-250IV
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Cache SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA119, BGA-119 静态存储器 内存集成电路
GS1284218GB-250IVT
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Cache SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA119, BGA-119 静态存储器 内存集成电路
GS1284218GD-250IV
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8M x 18, 4M x 36 144Mb S/DCD Sync Burst SRAMs 静态存储器 内存集成电路
GS1284218GD-250IVT
中文翻译 品牌: GSI
Cache SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA165, BGA-165 静态存储器 内存集成电路
GS12842Z18GB-200VI
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SRAM 静态存储器
GS1284Z18GB-200I
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SRAM 静态存储器
GS1284Z18GB-200IT
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SRAM 静态存储器
GS256418GB-250I
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16M x 18, 8M x 36 288Mb DCD Sync Burst SRAMs 静态存储器 内存集成电路
GS256418GB-250IV
中文翻译 品牌: GSI
16M x 18, 8M x 36 288Mb DCD Sync Burst SRAMs 静态存储器 内存集成电路
GS256418GB-250IVT
中文翻译 品牌: GSI
Cache SRAM, 16MX18, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 静态存储器 内存集成电路
GS4288C09
中文翻译 品牌: GSI
32M x 9, 16M x 18, 8M x 36 288Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM) II 动态存储器
GS4288C09GL-18
中文翻译 品牌: GSI
DDR DRAM, 32MX9, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, UBGA-144 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路
Total:30012345678910...10
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GSI是什么品牌:GSI Technology, Inc.成立于1995年,是SRAM半导体存储解决方案的领先供应商。