品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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128KX36
中文翻译 品牌: ISSI |
128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM 128K ×32 , 128K ×36 ,和256K ×18态总线SRAM |
静态存储器 | |||
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22C040
中文翻译 品牌: ISSI |
32 to 40 SEC INSTANT VOICE ROM 32至40秒的即时语音ROM |
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24C016
中文翻译 品牌: ISSI |
1K-bit/2K-bit/4K-bit/8K-bit/16K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM 1K位/ 2K比特/ 4K位/ 8K位/ 16K位2线串行EEPROM CMOS |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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24C128
中文翻译 品牌: ISSI |
131,072-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM 131,072位2线串行EEPROM CMOS |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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24C16
中文翻译 品牌: ISSI |
1K-bit/2K-bit/4K-bit/8K-bit/16K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM 1K位/ 2K比特/ 4K位/ 8K位/ 16K位2线串行EEPROM CMOS |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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24C256
中文翻译 品牌: ISSI |
262,144-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM 262,144位2线串行EEPROM CMOS |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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256KX18
中文翻译 品牌: ISSI |
128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM 128K ×32 , 128K ×36 ,和256K ×18态总线SRAM |
静态存储器 | |||
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41C16257
中文翻译 品牌: ISSI |
256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE 256K ×16 ( 4兆位)动态RAM具有快速页面模式 |
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41LV16100B
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-50K
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-50KI
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-50KL
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-50KLI
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-50T
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-50TI
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-50TL
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-50TLI
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-60K
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-60KI
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-60KL
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-60KLI
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-60T
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-60TI
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-60TL
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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41LV16100B-60TLI
中文翻译 品牌: ISSI |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 |
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42S16400A
中文翻译 品牌: ISSI |
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 1梅格位×16位× 4银行( 64兆位)同步动态RAM |
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42S16800A
中文翻译 品牌: ISSI |
16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 16兆×8 , 8Meg X16和4Meg ×32 128兆位同步DRAM |
动态存储器 | |||
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42S32200
中文翻译 品牌: ISSI |
512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 512K位×32位×4 ,银行(64 - MBIT )同步动态RAM |
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46DR83200A
中文翻译 品牌: ISSI |
32Mx8, 16Mx16 DDR2 DRAM 32Mx8 , 16Mx16 DDR2 DRAM |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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61C3216
中文翻译 品牌: ISSI |
32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 32K ×16高速CMOS静态RAM |
ISSI是什么品牌:ISSI1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com,Alcatel,Cisco,Ericsson,HewlettPackard,IBM,Lexmark,Motorola,Nokia,Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州SantaClara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的CharteredSemiconductor都是它的合作伙伴。