型号等于：	24C16 (1) 89C52 (1)
型号起始：	128KX* (1) 22C04* (1) 24C01* (1) 24C12* (1) 24C16* (1) 24C25* (1) 256KX* (1) 41C16* (1) 41LV1* (17) 42S16* (2) 42S32* (1) 46DR8* (1) 61C32* (1) 61LV2* (2) 61LV5* (2) 61S64* (1) 61SP6* (1) 62C10* (1) 62C25* (1) 62LV1* (1) 62LV2* (1) 62WV5* (1) 65WV2* (1) 66WVC* (3) 66WVE* (1) 75V16* (1) 89C52* (1) AP29F* (7) AP32M* (33) AP9A1* (105) AP9A4* (46)
所属品牌：	不限 ISSI(13908)
功能分类：	不限静态存储器(5331) 动态存储器(3210) 内存集成电路(6181) 光电二极管(3286) 时钟(2671) 存储(1840) 可编程只读存储器(1023) 电动程控只读存储器(866) 电可擦编程只读存储器(846) 双倍数据速率(1088) 微控制器(161) OTP只读存储器(95) 微控制器和处理器(64) 外围集成电路(93) 输入元件(57) 输出元件(57) 驱动(83) 接口集成电路(85) 闪存(75) 驱动器(59) 先进先出芯片(46) CD(24) 放大器(31) 商用集成电路(39) PC(24) 电信(6) 电信集成电路(6) 功率放大器(10) 贺卡(11) LTE(6) 开关(8) ISM频段(5) 异步传输模式(3) ATM(3) 有原始数据的样本ROM(3) 转换器(3) 升压转换器(3) 音频放大器(3) 手机(1) 局域网(1) 控制器(2) 装置(1) 电池(1) 音频合成器集成电路(2) 消费电路(2) 人类的语言(1) 动物的声音(1) 音乐的声音(1) 功率因数校正(1) 高压(2) 泵(1)

ISSI - 型号起始; 总记录数：10000+

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		61LV256 中文翻译品牌: ISSI	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM 32K ×8低压CMOS静态RAM
		61LV25616AL 中文翻译品牌: ISSI	256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY 256K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM
		61LV51216 中文翻译品牌: ISSI	512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS 512K ×16高速异步
		61LV5128 中文翻译品牌: ISSI	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 512K ×8高速CMOS静态RAM
		61S6432 中文翻译品牌: ISSI	64K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINE STATIC RAM 64K ×32的同步管道静态RAM
		61SP6464 中文翻译品牌: ISSI	64K x 64 SYNCHRONOUS PIPELINE STATIC RAM 64K ×64的同步管道静态RAM
		62C1024L 中文翻译品牌: ISSI	128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM 128K ×8低功耗CMOS静态RAM
		62C256 中文翻译品牌: ISSI	32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM 32K ×8低功耗CMOS静态RAM
		62LV12816 中文翻译品牌: ISSI	128K x 16 CMOS STATIC RAM 128K ×16的CMOS静态RAM
		62LV256 中文翻译品牌: ISSI	32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM 32K ×8低压静态RAM
		62WV5128ALL 中文翻译品牌: ISSI	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 512K ×8低电压，超低功耗CMOS静态RAM
		65WV2568DALL 中文翻译品牌: ISSI	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K ×8低电压，超低功耗CMOS静态RAM
		66WVC2M16ALL-7008BLI 中文翻译品牌: ISSI	2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54, 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54
		66WVC2M16ALL-7010BLI 中文翻译品牌: ISSI	2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54, 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54
		66WVC2M16ALL-7013BLI 中文翻译品牌: ISSI	2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54, 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54
		66WVE4M16ALL-70TLI 中文翻译品牌: ISSI	Pseudo Static RAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48	光电二极管内存集成电路
		75V16F64GS16 中文翻译品牌: ISSI	64 Mbit FLASH MEMORY AND 16 Mbit PSEUDO SRAM STACKED MULTI-CHIP PACKAGE (MCP) 64兆位闪存16兆位伪SRAM堆叠式多芯片封装（ MCP ）	闪存静态存储器
		89C52 中文翻译品牌: ISSI	CMOS SINGLE CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER with 8-Kbytes of FLASH CMOS单芯片8位微控制器与闪存的8 - K字节	闪存微控制器
		AP29F040-120JC 中文翻译品牌: ISSI	Flash, 512KX8, 120ns, PQCC32	内存集成电路
		AP29F040-150JC 中文翻译品牌: ISSI	Flash, 512KX8, 150ns, PQCC32	内存集成电路
		AP29F040-150TC 中文翻译品牌: ISSI	Flash, 512KX8, 150ns, PDSO32	光电二极管内存集成电路
		AP29F040-70JC 中文翻译品牌: ISSI	Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32,	内存集成电路
		AP29F040-70TC 中文翻译品牌: ISSI	Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32	光电二极管内存集成电路
		AP29F040-90JC 中文翻译品牌: ISSI	Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32	内存集成电路
		AP29F040-90TC 中文翻译品牌: ISSI	Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32	光电二极管内存集成电路
		AP32M1024M7G-15 中文翻译品牌: ISSI	SRAM Module, 1MX32, 15ns, CMOS	静态存储器内存集成电路
		AP32M1024M7G-20 中文翻译品牌: ISSI	SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS	静态存储器内存集成电路
		AP32M1024M7G-25 中文翻译品牌: ISSI	SRAM Module, 1MX32, 25ns, CMOS	静态存储器内存集成电路
		AP32M1024M7T-15 中文翻译品牌: ISSI	SRAM Module, 1MX32, 15ns, CMOS	静态存储器内存集成电路
		AP32M1024M7T-20 中文翻译品牌: ISSI	SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS	静态存储器内存集成电路

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ISSI是什么品牌：ISSI1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com,Alcatel,Cisco,Ericsson,HewlettPackard,IBM,Lexmark,Motorola,Nokia,Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州SantaClara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的CharteredSemiconductor都是它的合作伙伴。