型号等于：	IRF630N (12) IRF630NL (3) IRF630NS (3)
型号起始：	IRF630N* (32) IRF630NL* (4) IRF630NP* (2) IRF630NS* (13) IRF630N_* (1)
所属品牌：	不限 INFINEON(13) FAIRCHILD(6) TRSYS(3) NJSEMI(2) ISC(1) MOTOROLA(1)
功能分类：	不限晶体(7) 晶体管(7) 功率场效应晶体管(7) 开关(7) 脉冲(5) 局域网(6) PC(1)

IRF630N - 型号起始 - INFINEON; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRF630N 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = 9.3A ）	晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
		IRF630NL 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = 9.3A ）
		IRF630NLPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF630NPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC 局域网
		IRF630NPBF_15 中文翻译品牌: INFINEON	Advanced Process Technology
		IRF630NS 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = 9.3A ）	晶体晶体管功率场效应晶体管开关
		IRF630NSPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF630NSRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Advanced Process Technology
		IRF630NSTRL 中文翻译品牌: INFINEON	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 9.3A I(D) \| TO-263AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 200V V（ BR ） DSS \| 9.3AI （D ） \| TO- 263AB\n	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF630NSTRLPBF 中文翻译品牌: INFINEON	暂无描述
		IRF630NSTRR 中文翻译品牌: INFINEON	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 9.3A I(D) \| TO-263AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 200V V（ BR ） DSS \| 9.3AI （D ） \| TO- 263AB\n	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF630NSTRRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2
		IRF630N_04 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET

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