品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF630N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.30ohm ,ID = 9.3A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRF630N
中文翻译 品牌: ISC |
isc N-Channel MOSFET Transistor ISC N沟道MOSFET晶体管 |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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IRF630N
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30з N沟道功率MOSFET 200V , 9.3A , 0.30з |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRF630N
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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IRF630N
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF630N
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF630NL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.30ohm ,ID = 9.3A ) |
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IRF630NL
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30з N沟道功率MOSFET 200V , 9.3A , 0.30з |
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IRF630NL
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 | |||
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IRF630NLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF630NPBF_15
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology | ||||
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IRF630NS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.30ohm ,ID = 9.3A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRF630NS
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30з N沟道功率MOSFET 200V , 9.3A , 0.30з |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRF630NS
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRF630NSL86Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 开关 晶体管 | |||
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IRF630NSL99Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | ||||
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IRF630NSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630NSRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology | ||||
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IRF630NSS62Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 开关 晶体管 | |||
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IRF630NSTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS | 9.3AI (D ) | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF630NSTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | |||
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IRF630NSTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS | 9.3AI (D ) | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630NSTRR
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF630NSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2 | |||
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IRF630N_04
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
Total:261
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