| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF630
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
Total:11
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