| 型号等于： | FQP12N60 (4) FQP12N60C (4) |
| 型号起始： | FQP12N60* (10) FQP12N60C* (5) FQP12N60J* (1) |
| 所属品牌： | 不限 FAIRCHILD(4) KERSEMI(1) ONSEMI(1) ROCHESTER(1) TGS(1) |
| 功能分类： | 不限 局域网(7) 开关(7) 脉冲(7) 晶体管(7) 晶体(4) 功率场效应晶体管(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FQP12N60
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQP12N60
中文翻译 品牌: TGS |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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FQP12N60
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220 | |||
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FQP12N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
FQP12N60C/FQPF12N60C | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQP12N60C
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
12A, 600V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQP12N60C
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 600 V，12 A，650 mΩ，TO-220 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQP12N60C
中文翻译 品牌: KERSEMI |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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FQP12N60C_07
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
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FQP12N60J69Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
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