| 型号等于： | FQPF5N60 (4) FQPF5N60C (2) |
| 型号起始： | FQPF5N60* (7) FQPF5N60C* (3) |
| 所属品牌： | 不限 FAIRCHILD(3) KERSEMI(1) ONSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(4) 晶体管(5) 功率场效应晶体管(3) 开关(5) 脉冲(5) 局域网(5) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FQPF5N60
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQPF5N60
中文翻译 品牌: KERSEMI |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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FQPF5N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQPF5N60C
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，4.5 A，2.5 Ω，TO-220F | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQPF5N60CYDTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQPF5N60CYDTU
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-220F-3（Y 型）; |
Total:61
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