| 型号等于： | FQU1N60C (4) |
| 型号起始： | FQU1N60C* (6) FQU1N60CT* (2) |
| 所属品牌： | 不限 FAIRCHILD(2) KERSEMI(1) ONSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 PC(1) 开关(3) 脉冲(3) 晶体管(3) 晶体(2) 功率场效应晶体管(1) 局域网(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FQU1N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQU1N60C
中文翻译 品牌: KERSEMI |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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FQU1N60CTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, | |||
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FQU1N60CTU
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1 A，11.5 Ω，IPAK | PC 开关 脉冲 晶体管 |
Total:41
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