| 型号等于： | IRF4905S (4) |
| 型号起始： | IRF4905S* (9) IRF4905SP* (1) IRF4905ST* (4) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(5) KERSEMI(1) UMW(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(4) 晶体管(5) 开关(5) 脉冲(5) 局域网(5) 功率场效应晶体管(1) PC(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF4905S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.02ohm ，ID = -74A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF4905S
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF4905SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF4905STRL
中文翻译 品牌: UMW |
MOS（场效应管） | ||||
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IRF4905STRLHR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | ||||
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IRF4905STRLP
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-42A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:20mΩ@-10V | ||||
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IRF4905STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF4905STRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:D2PAK; | ||||
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IRF4905STRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
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