型号等于: | IRF5305S (4) |
型号起始: | IRF5305S* (12) IRF5305SL* (1) IRF5305SP* (2) IRF5305ST* (5) |
所属品牌: | 不限 INFINEON(5) ETC(2) FREESCALE(1) KERSEMI(1) UMW(1) |
功能分类: | 不限 晶体(4) 晶体管(4) 开关(3) 脉冲(3) 局域网(3) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF5305S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.06ohm ,ID = -31A ) |
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IRF5305S
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305SLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF5305SPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF5305SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF5305STR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | ||||
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IRF5305STRL
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | P沟道| 55V V( BR ) DSS | 31A I( D) | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF5305STRL
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-55V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):-31A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:60mΩ@-10V | ||||
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IRF5305STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305STRR
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | P沟道| 55V V( BR ) DSS | 31A I( D) | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF5305STRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | |||
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IRF5305STRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
Total:121
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