| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF630-001PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF630-010PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF630-012PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF630AJ69Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF630M
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET N沟道200V - 0.35W - 9A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = 9.3A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRF630N
中文翻译 品牌: ISC |
isc N-Channel MOSFET Transistor ISC N沟道MOSFET晶体管 |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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IRF630N
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30з N沟道功率MOSFET 200V ， 9.3A ， 0.30з |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRF630N
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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IRF630N
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF630N
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF630NLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF630NS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = 9.3A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRF630NS
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30з N沟道功率MOSFET 200V ， 9.3A ， 0.30з |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRF630NS
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRF630NSL86Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 开关 晶体管 | |||
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IRF630NSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630NSS62Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 开关 晶体管 | |||
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IRF630NSTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 9.3AI （D ） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF630NSTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 9.3AI （D ） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630NSTRR
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF630PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS （ ON） = 0.40ヘ， ID = 9.0A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF630SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS （ ON） = 0.40ヘ， ID = 9.0A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF630STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 |
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