| 型号等于: | D10040200GT (1) |
| 型号起始: | D10040200G* (2) D10040200GT* (2) |
| 所属品牌: | 不限 PDI(2) |
| 功能分类: | 不限 射频(1) 微波(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
| D10040200GT
中文翻译 品牌: PDI |
GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC 砷化镓功率倍增, 40 - 1000MHz的, 20.0分贝分钟。获得@ 1GHz的375毫安最大。 @ 24VDC |
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| D10040200GTH
中文翻译 品牌: PDI |
GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, High, 440mA max. @ 24VDC 砷化镓功率倍增, 40 - 1000MHz的, 20.0分贝分钟。获得@ 1GHz的高, 440毫安最大。 @ 24VDC |
射频 微波 |
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