型号等于:23C1010 (1) 23C2000 (1) 23C4000 (1) 23C6410 (1) 27C024-70 (1) 27C1024 (1) 27C1100 (1) 27C2000 (1) 27C2048 (1) 27C256-10 (1) 27C256-12 (1) 27C256-15 (1) 27C256-45 (1) 27C256-55 (1) 27C256-70 (1) 27C256-90 (1) 27C4096 (1) 27C4100 (1) 27C512-10 (1) 27C512-12 (1) 27C512-15 (1) 27C512-45 (1) 27C512-55 (1) 27C512-70 (1) 27C512-90 (1) 27C800 (1) 27L256-12 (1) 27L256-15 (1) 27L256-20 (1) 27L256-25 (1) 27L512-12 (1)
型号起始:23C1010* (1) 23C1610-1* (3) 23C1611-1* (2) 23C2000* (1) 23C3210-1* (3) 23C4000* (1) 23C4000-1* (3) 23C4000-9* (1) 23C4100-1* (3) 23C6410* (1) 23C8000-1* (3) 23C8000-2* (1) 23C8111-1* (2) 23C8111-9* (1) 23L12810-* (3) 23L12810A* (2) 23L12811-* (2) 23L12824-* (1) 23L1610-1* (3) 23L1610-7* (1) 23L1610-9* (1) 23L1611-1* (2) 23L1612-7* (1) 23L1612-9* (1) 23L1613-7* (1) 23L1613-9* (1) 23L25611-* (2) 23L3210-1* (3) 23L3210-7* (1) 23L3210-9* (1) 23L3211-1* (2)
所属品牌:不限 Macronix(6895)
功能分类:不限 存储(2439) 可编程只读存储器(1021) 电动程控只读存储器(1006) 闪存(1452) 内存集成电路(2759) 光电二极管(2062) OTP只读存储器(376) 时钟(363) 有原始数据的样本ROM(556) 输出元件(180) ISM频段(99) 静态存储器(145) 电可擦编程只读存储器(128) IOT(40) CD(35) 微控制器(59) 外围集成电路(66) 晶体(10) 商用集成电路(8) PC(24) 控制器(11) 以太网(9) 以太网:16G BASE-T(13) 局域网(11) 数据传输(13) 网络接口(3) 电信集成电路(8) 电信电路(6) 微控制器和处理器(12) 局域网(LAN)标准(4) 时钟发生器(2) 综合业务数字网(6) 解码器(4) 编解码器(4) 电信(2) 中继器(1) 串行 IO控制器(3) 通信控制器(3) 显示控制器(1) 消费电路(1) 驱动器(1) 次级存储控制器(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
29F040C-55
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压5V只相当于行业FLASH MEMORY
29F040C-70
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压5V只相当于行业FLASH MEMORY
29F040C-90
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压5V只相当于行业FLASH MEMORY
29F080-12
中文翻译 品牌: Macronix
8M-BIT [1024K x 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
8M - BIT [ 1024K ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
29F080-70
中文翻译 品牌: Macronix
8M-BIT [1024K x 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
8M - BIT [ 1024K ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
29F080-90
中文翻译 品牌: Macronix
8M-BIT [1024K x 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
8M - BIT [ 1024K ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
29F1610
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2M x8/1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M X16 ] CMOS单电压闪存EEPROM
闪存 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
29F1610A
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2M x8/1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M X16 ] CMOS单电压闪存EEPROM
闪存 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
29F1610A-10
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2M x8/1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M X16 ] CMOS单电压闪存EEPROM
闪存 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
29F1610A-12
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2M x8/1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M X16 ] CMOS单电压闪存EEPROM
闪存 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
29F1610A-90
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2M x8/1M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE FLASH EEPROM
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M X16 ] CMOS单电压闪存EEPROM
闪存 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
29F200C-55
中文翻译 品牌: Macronix
2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY
2M- BIT [ 256Kx8 / 128Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
29F200C-70
中文翻译 品牌: Macronix
2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY
2M- BIT [ 256Kx8 / 128Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
29F200C-90
中文翻译 品牌: Macronix
2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY
2M- BIT [ 256Kx8 / 128Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
29F4000
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
29F400C-55
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS单电压只有5V引导扇区闪存
闪存
29F400C-70
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS单电压只有5V引导扇区闪存
闪存
29F400C-90
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS单电压只有5V引导扇区闪存
闪存
29F800
中文翻译 品牌: Macronix
8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
8M - BIT [ 1Mx8 / 512Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
29LV002CT-70
中文翻译 品牌: Macronix
2M-BIT [256K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
存储
29LV002CT-90
中文翻译 品牌: Macronix
2M-BIT [256K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
存储
29LV017B-70
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2Mx8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
16M - BIT [ 2Mx8 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
存储
29LV017B-90
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2Mx8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
16M - BIT [ 2Mx8 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
存储
29LV040C-55R
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压3V只相当于行业FLASH MEMORY
29LV040C-70
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压3V只相当于行业FLASH MEMORY
29LV040C-90
中文翻译 品牌: Macronix
4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压3V只相当于行业FLASH MEMORY
29LV160B
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
存储
29LV160C-55R
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
存储
29LV160C-70
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
存储
29LV160C-90
中文翻译 品牌: Macronix
16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
存储
Total:3001...12345678910
总300+条记录,每页显示30条记录分10页显示。
Macronix是什么品牌:旺宏电子为全球非挥发性记忆体整合元件领导厂商,提供跨越广泛规格及容量的ROM唯读记忆体、NOR型快闪记忆体以及NAND型快闪记忆体解决方案。旺宏电子以世界级的研发与制造能力,提供最高品质、创新及具备高性能表现的产品,以供客户应用于消费、通讯、电脑、工业、汽车电子、网通及其他等领域。 旺宏电子于1989 年创立于台湾新竹科学园区,自成立以来,即持续落实自有产品的竞争优势,并不断提昇生产制造能力,以提供客户高品质的产品与服务。因此,成功地与世界级大厂建立长期而互惠的策略伙伴关係。旺宏秉持高标准公司治理,致力维护投资人关係,并积极遂行企业社会责任,也获颁上市上柜公司治理制度评量认证的肯定,更成为园区第一家通过企业社会责任管理系统(SA 8000)验证之半导体公司。 旺宏电子著重研发,历年发表的技术论文,持续入选IEDM及ISSCC等多项国际学术会议。旺宏电子更拥有大量优质的国际关键技术及专利等智慧财产权,并与全球高科技业界领导厂商成立技术合作联盟,共同进行相变化记忆体先驱技术的研究;另外,旺宏电子也领先发表全球首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS?论文,皆是为了提供次世代非挥发性记忆体的解决方案。