型号等于：	2N7002BK (6) 2N7002BKM (1) 2N7002BKS (2) 2N7002BKT (2) 2N7002BKV (1) 2N7002BKW (2)
型号起始：	2N7002BK* (20) 2N7002BKM* (4) 2N7002BKS* (3) 2N7002BKT* (3) 2N7002BKV* (1) 2N7002BKW* (3)
所属品牌：	不限 NXP(9) NEXPERIA(7) CENTRAL(1)
功能分类：	不限开关(8) 光电二极管(9) 晶体管(8) 放大器(3) 晶体(4) 小信号场效应晶体管(3)

2N7002BK - 型号等于; 总记录数：4

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2N7002BK 中文翻译品牌: NXP	60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 60 V ， 350毫安N沟道沟槽MOSFET	晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
		2N7002BK 中文翻译品牌: CENTRAL	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	放大器光电二极管晶体管
		2N7002BK 中文翻译品牌: NEXPERIA	60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFETProduction	放大器光电二极管晶体管
		2N7002BK 中文翻译品牌: VBSEMI	漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):250mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):3.3Ω 10V,200mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):300mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA;	栅

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