品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS138L
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V 功率MOSFET 200毫安, 50 V |
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BSS138L
中文翻译 品牌: AITSEMI |
V(BR)DSS (V) : 50; Type : N; VGSS (±V) : 20; ID (A)TA=25°C) : 0.2; VGS(TH) Min/Max(V) : 0.5/1.5; RDS(ON) (mΩ)Typ.VGS= ±10V : –; RDS(ON) (mΩ)Typ.VGS= ± | ||||
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BSS138L
中文翻译 品牌: RUILON |
小信号Mos | ||||
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BSS138L-AE2-R
中文翻译 品牌: UTC |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE N沟道逻辑电平增强模式 |
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BSS138L-AL3-R
中文翻译 品牌: UTC |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE N沟道逻辑电平增强模式 |
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BSS138LT1
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V 功率MOSFET 200毫安, 50 V |
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BSS138LT1
中文翻译 品牌: WILLAS |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
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BSS138LT1/D
中文翻译 品牌: ETC |
Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts
功率MOSFET 200毫安, 50伏\n |
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BSS138LT1D
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V 功率MOSFET 200毫安, 50 V |
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BSS138LT1G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V 功率MOSFET 200毫安, 50 V |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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BSS138LT1_05
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 功率MOSFET 200毫安, 50 V的N沟道SOT- 23 |
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BSS138LT1_09
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V 功率MOSFET 200毫安, 50 V |
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BSS138LT1_11
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V 功率MOSFET 200毫安, 50 V |
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BSS138LT3
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V 功率MOSFET 200毫安, 50 V |
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BSS138LT3G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET 200 mA, 50 V 功率MOSFET 200毫安, 50 V |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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BSS138LT7G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
单N沟道逻辑电平功率MOSFET 50V,200mA,3.5Ω | 小信号场效应晶体管 | |||
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BSS138LV
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
0.21A, 50V, 0.25W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
Total:171
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