| 型号等于： | IRF7301 (2) IRF73016 (1) |
| 型号起始： | IRF7301* (6) IRF73016* (1) IRF7301P* (1) IRF7301T* (2) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(3) MOTOROLA(1) UMW(1) |
| 功能分类： | 不限 局域网(1) 晶体管(3) 开关(2) 脉冲(2) 光电二极管(2) 晶体(1) 功率场效应晶体管(1) PC(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7301
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm) 功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.050ohm ） |
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IRF73016
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF7301PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | ||
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IRF7301TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:5.7A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:40mΩ@4.5V | ||||
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IRF7301TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7301TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | |||
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IRF7301TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 |
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