IRF7303 - 型号起始; 总记录数：10

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		IRF7303 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm) 功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.050ohm ）
		IRF7303PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ヘ ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS （ ON） = 0.050ヘ）
		IRF7303Q 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8
		IRF7303QPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET
		IRF7303QPBF_10 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFETPOWERMOSET HEXFETPOWERMOSET
		IRF7303QTRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	元器件封装:8-SOIC;
		IRF7303TR EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	Generation V Technology 第五代技术	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
		IRF7303TR 中文翻译品牌: VBSEMI
		IRF7303TR 中文翻译品牌: UMW	种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:5.3A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:50mΩ@10V
		IRF7303TRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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