| 型号等于： | IRF7404TR (2) |
| 型号起始： | IRF7404T* (4) IRF7404TR* (4) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(2) UMW(1) VBSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(1) 晶体管(1) 功率场效应晶体管(1) 光电二极管(1) PC(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7404TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-7.7A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:40mΩ@-4.5V | ||||
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IRF7404TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7404TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
generation v technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 光电二极管 PC | ||
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IRF7404TRPBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET, |
Total:41
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