| 型号等于： | IRF7406 (2) |
| 型号起始： | IRF7406* (9) IRF7406G* (1) IRF7406P* (2) IRF7406T* (4) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(7) UMW(1) |
| 功能分类： | 不限 开关(2) 脉冲(2) 光电二极管(2) 晶体管(2) 晶体(1) 功率场效应晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7406
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7406GPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN AND LEAD FREE | ||||
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IRF7406PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7406PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor | |||
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IRF7406TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7406TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-6.7A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:45mΩ@-10V | ||||
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IRF7406TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
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IRF7406TRPBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor |
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