| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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24AA64/PRVA
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
64K, 8K X 8, 1.8V SER EE, 0C to +70C, 8-PDIP, TUBE | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | |||
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24LC128-I/SNRVF
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
128K 16K X 8 2.5V SER EE | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | |||
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25AA080BT-I/SNB21
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
8K, 1K X 8, 32B PAGE, 1.8V SER EE IND, -40C to +85C, 8-SOIC 150mil, T/R | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | |||
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GS816018CGT-300IT
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816018CGT-333I
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816018CGT-333IT
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816036CGT-250
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816036CGT-250T
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816036CGT-300IT
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816036CGT-300T
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816036CGT-333
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816036CGT-333I
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS816036CGT-333IT
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160V18CGT-250I
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160V18CGT-300
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160V36CGT-250
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160V36CGT-250I
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160V36CGT-300
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160V36CGT-300IT
中文翻译 品牌: GSI |
Cache SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100 | 存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160V36CGT-333
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160V36CGT-333I
中文翻译 品牌: GSI |
1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 1M ×18和512K ×36 18MB同步突发静态存储器 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z18CGT-250T
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z18CGT-300
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z18CGT-300IT
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z36CGT-250
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z36CGT-250I
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z36CGT-250IT
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z36CGT-250T
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z36CGT-333
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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GS8160Z36CGT-333I
中文翻译 品牌: GSI |
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 |